Kioxia推出了比现有闪存更快更便宜的闪存

Kioxia和Western Digital今天宣布开发第六代162层3D NAND闪存技术。它的创建被称为“ 20年合作伙伴关系中的另一个里程碑”。

第6代闪存具有先进的体系结构，其水平单元密度比第5代技术高10​​%。与垂直方向上的162个水平相结合，与112层存储器相比，这使得相同信息容量的管芯面积减少了40%，从而实现了“成本优化”。

开发人员还将逻辑电路放置在单元阵列下方，并同时处理四个区域，与前一个相比，它们共同使写入性能提高了近2.4倍，读取延迟减少了10%。一代。I / O性能提高了66%。

总体而言，新的闪存技术可降低每位成本，并将每片晶圆的存储容量比上一代产品提高70%。

当开始批量生产新存储器时，伙伴不指定。